酸化物半導体膜及び半導体装置
- 专利权人:
- 株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:
- 山崎 舜平,坂倉 真之,渡邊 了介,坂田 淳一郎,秋元 健吾,宮永 昭治,廣橋 拓也,岸田 英幸
- 申请号：
- JP20160179127
- 公开号：
- JP2017022400(A)
- 申请日:
- 2016.09.14
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】電気特性が良好で信頼性の高い半導体装置及び当該半導体装置をスイッチング素子として用いた表示装置を提供することを課題とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いたトランジスタにおいて、該酸化物半導体層の少なくとも一表面側に該表面と垂直な方向にｃ軸成長し、該表面に平行なａ−ｂ面を有する針状結晶群を有し、該針状結晶群以外の部分は非晶質又は非晶質と微結晶とが混在している構成とすることによって、電気特性が良好で信頼性の高い半導体装置を作製することができる。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
