您的位置：
首页
>
农业专利
>
详情页
金属酸化物膜、および半導体装置
- 专利权人:
- 株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:
- 保坂 泰靖,生内 俊光,島 行徳,神長 正美,黒崎 大輔,羽持 貴士,肥塚 純一,岡崎 健一,山崎 舜平
- 申请号：
- JP20160248707
- 公开号：
- JP2018006728(A)
- 申请日:
- 2016.12.22
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】結晶部を含む金属酸化物膜を提供する。物性の安定性の高い金属酸化物膜を提供する。電気特性が向上した金属酸化物膜を提供する。電界効果移動度を高められる金属酸化物膜を提供する。金属酸化物膜を適用した、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】金属酸化物膜は、インジウム、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）、及び亜鉛を含む。また膜面に垂直な方向におけるＸ線回折において、結晶構造に起因した回折強度のピークが観測される領域を有する。また膜面に垂直な断面における透過電子顕微鏡像において複数の結晶部が観察される。当該結晶部以外の領域の割合は、２０％以上６０％以下である。【選択図】図１１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
