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結晶性酸化物半導体膜および半導体装置
- 专利权人:
- 株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ
- 发明人:
- 徳田 梨絵,織田 真也,人羅 俊実
- 申请号：
- JP20160170410
- 公开号：
- JP2018035044(A)
- 申请日:
- 2016.08.31
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を提供する。【解決手段】ミストＣＶＤ装置１９を用いて、ドーパントを含む原料溶液２４ａを霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスで成膜室内に搬送し、ついで成膜室内で前記ミストまたは液滴を熱反応させることによって、結晶基板２０上に、結晶性酸化物半導体膜を成膜する方法において、主面がａ面又はｍ面であるコランダム構造を有している結晶基板を用いること、またはバッファ層が形成されており、かつオフ角を有する結晶基板を用いることなどによって、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含み、さらにドーパントを含む結晶性酸化物半導体膜であって、抵抗率が５０ｍΩｃｍ以下である結晶性酸化物半導体膜を得る。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
