酸化物半導体膜及び半導体装置
- 专利权人:
- 株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:
- 下村 明久,肥塚 純一,岡崎 健一,山根 靖正,佐藤 裕平,山崎 舜平
- 申请号：
- JP20160024209
- 公开号：
- JP2017085071(A)
- 申请日:
- 2016.02.11
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】新規な酸化物半導体膜を提供する。【解決手段】Ｉｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎを表す。）と、Ｚｎと、を有する酸化物半導体膜であって、酸化物半導体膜は、Ｉｎ１＋ｘＭ１−ｘＯ３（ＺｎＯ）ｙ（ｘは０＜ｘ＜０．５を満たす数、ｙは概略１を表す。）構造の固溶域近傍の組成を有する。特に、酸化物半導体膜のＩｎ、Ｍ、及びＺｎの原子数の比は、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３近傍であり、Ｉｎが４の場合、Ｍが１．５以上２．５以下であり、且つＺｎが２以上４以下である。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
