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薄膜電子回路をカスタマイズするための方法
专利权人:
アイメック・ヴェーゼットウェーIMEC VZW;ネーデルランツェ・オルガニザーティ・フォール・トゥーヘパストナトゥールウェテンシャッペレイク・オンダーズーク・テーエヌオー
发明人:
クリス・イェフ・リア・ミニ,ヘルウィン・ヘリンク,ヤン・ヘヌー
申请号:
JP20160550217
公开号:
JP2017510017(A)
申请日:
2015.02.11
申请国别(地区):
日本
年份:
2017
代理人:
摘要:
薄膜回路製造のための方法を提供しその方法は、(a)アウトプットを含む少なくとも一つの論理ゲート回路、複数ドライブトランジスタ及び複数ロード素子を含む少なくとも一つの論理ゲート回路、アウトプットに電気的接続される少なくとも一つのロード素子を含む薄膜回路を取得し、(b)電圧パターンを複数ドライブトランジスタに順次供給し、電圧パターンは各ドライブトランジスタのゲート及びソースの間に個々に印加される一連の電圧であって、(c)電圧パターンに対応する少なくとも一つの論理ゲート回路の一連のアウトプット電圧値を測定し、(d)アウトプット電圧値と一連の既定参照アウトプット電圧値を比較し、(e)アウトプット電圧値が参照アウトプット電圧値と整合しない場合は、アウトプットに電気的接続されるロード素
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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