半導体素子の洗浄液及び洗浄方法
- 专利权人:
- 三菱瓦斯化学株式会社
- 发明人:
- 尾家 俊行,島田 憲司
- 申请号：
- JP20160516318
- 公开号：
- JPWO2015166826(A1)
- 申请日:
- 2015.04.20
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明によれば、低誘電率膜と、コバルト、コバルト合金及びタングステンプラグの少なくとも１種とを有する基板上に、ハードマスクパターンを形成し、次いでこのハードマスクパターンをマスクとして、ハードマスク、低誘電率膜及びバリア絶縁膜にドライエッチング処理を施した半導体素子に、アルカリ金属化合物０．００１〜２０質量％、４級アンモニウム水酸化物０．１〜３０質量％、水溶性有機溶媒０．０１〜６０質量％、過酸化水素０．０００１〜０．１質量％および水を含む洗浄液を用いて、ドライエッチング残渣を除去することを特徴とする半導体素子の洗浄方法を提供することができる。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
