半導体素子とその製造方法
- 专利权人:
- 雫石 誠
- 发明人:
- 雫石 誠
- 申请号：
- JP20160547105
- 公开号：
- JPWO2016114377(A1)
- 申请日:
- 2016.01.15
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】積層半導体素子等の高集積化、高速駆動、低消費電力・低発熱化、、小型・軽量化或いは応用製品に組み込みやすい素子形状を実現することにより、これまで応用が困難であった分野にも適用可能な積層半導体素子の構造とそれを具体化するための半導体素子等の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子側面部の一部が平滑でありかつ絶縁膜で被覆された形状とする。該側面部はエッチング工程とダイシング工程の組み合わせにより、或いはエッチング工程のみにより露出させることにより半導体ウエーハ基板より各半導体素子を個片化することを特徴とする。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
