用于检测Hg²⁺的薄膜光寻址电位传感器及其制备方法

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专利权人:

浙江大学

发明人:

王平,门洪,李毅,许祝安

申请号：

CN200310109501.5

公开号：

CN1235044C

申请日:

2003.12.14

申请国别(地区):

中国

年份:

2006

代理人:

林怀禹

摘要：

本发明公开了一种用于检测Hg²⁺的薄膜光寻址电位传感器及其制备方法。该传感器是基于光寻址电位传感器(LAPS)，通过激光脉冲沉积(PLD)技术在其表面上制备敏感薄膜。首先合成了敏感材料，作为脉冲激光沉积的靶材，其次在LAPS上通过磁控溅射技术制备了固定化的金属层，然后通过激光脉冲沉积技术和设备在此基础上进行薄膜的制备。该薄膜传感器对溶液中的Hg²⁺敏感，能够检测出Hg²⁺的含量。本发明可在江河湖海、生物医学领域(如血液、体液)、工业废水、中药、蔬菜、水果、茶叶等领域中对Hg²⁺进行定性和定量检测。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/