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用于检测重金属离子的薄膜光寻址电位传感器
专利权人:
浙江大学
发明人:
王平,门洪,李毅
申请号:
CN200320122846.X
公开号:
CN2660528Y
申请日:
2003.12.21
申请国别(地区):
中国
年份:
2004
代理人:
林怀禹
摘要:
本实用新型公开了一种用于检测重金属离子的薄膜光寻址电位传感器。该传感器是选用p型或n型Si片作基底,在基底从下而上依次有SiO2层、金属层、对重金属离子敏感的薄膜。该薄膜传感器对溶液中的重金属敏感,能够检测出重金属的含量。本实用新型检测器件小,试样溶液少,测量快速,使用便捷,测量准确,几乎没有任何金属离子能够干扰测量。该薄膜传感器可在江河湖海、生物医学领域如血液、体液等、工业废水、中药、蔬菜、水果、茶叶等领域中对重金属进行定性和定量检测。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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