一种快速检测重金属离子的多通道传感器及其制作方法
- 专利权人:
- 中国科学院半导体研究所
- 发明人:
- 张杨,王成艳,关敏,丁凯,张斌田,林璋,黄丰,曾一平
- 申请号：
- CN201410072709.2
- 公开号：
- CN104880501A
- 申请日:
- 2014.02.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 宋焰琴
- 摘要：
- 本发明公开了一种用于检测重金属离子的InP基HEMT多通道传感器，其采用分子束外延系统制备InP基HEMT，一定条件下将特异性生物分子固定于栅极表面通过将InP基HEMT高跨导低噪声的特性与检测技术和微流控技术相结合，研制了能够同时检测多种重金属离子的传感器。本发明的优点在于基于InP基HEMT的多通道传感器，灵敏度极高、响应速率极快且便于携带，对于生活、医疗以及环境监测具有很好的实际应用意义，可以预防重金属离子食物中毒、临床诊断重金属离子中毒等，从而减少因重金属离子中毒而引起的发病和死亡等。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
