用于同时检测Cu²⁺、Pb²⁺、Cd²⁺的阵列式薄膜传感器及其制备方法

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专利权人:

东北电力大学

发明人:

门洪,王建国

申请号：

CN200610017279.X

公开号：

CN100434910C

申请日:

2006.10.24

申请国别(地区):

中国

年份:

2008

代理人:

张瑜声

摘要：

本发明涉及用于同时检测Cu²⁺、Pb²⁺、Cd²⁺的阵列式薄膜传感器及基制备方法，以p型或n型Si片作基底，在基底上依次为SiO₂层，对Cu²⁺、Pb²⁺、Cd²⁺敏感的三种薄膜；该薄膜传感器是通过激光脉冲沉积技术在SiO₂表面上制备三种敏感薄膜，采用激光沉积技术把三个敏感材料分别制备在SiO₂表面上，最后形成三种阵列式薄膜传感器。它对溶液中的Cu²⁺、Pb²⁺、Cd²⁺具有选择性，能检测出Cu²⁺、Pb²⁺、Cd²⁺的含量。本发明可在江河湖泊、生物医学领域(如血液、体液)、工业废水、中药、蔬菜、水果、茶叶等领域中对Cu²⁺、Pb²⁺、Cd²⁺同时进行定性和定量检测。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/