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用于同时检测Cu2+、Pb2+、Cd2+的阵列式薄膜传感器及其制备方法
专利权人:
东北电力大学
发明人:
门洪,王建国
申请号:
CN200610017279.X
公开号:
CN100434910C
申请日:
2006.10.24
申请国别(地区):
中国
年份:
2008
代理人:
张瑜声
摘要:
本发明涉及用于同时检测Cu2+、Pb2+、Cd2+的阵列式薄膜传感器及基制备方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次为SiO2层,对Cu2+、Pb2+、Cd2+敏感的三种薄膜;该薄膜传感器是通过激光脉冲沉积技术在SiO2表面上制备三种敏感薄膜,采用激光沉积技术把三个敏感材料分别制备在SiO2表面上,最后形成三种阵列式薄膜传感器。它对溶液中的Cu2+、Pb2+、Cd2+具有选择性,能检测出Cu2+、Pb2+、Cd2+的含量。本发明可在江河湖泊、生物医学领域(如血液、体液)、工业废水、中药、蔬菜、水果、茶叶等领域中对Cu2+、Pb2+、Cd2+同时进行定性和定量检测。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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