用于检测Fe3+的薄膜光寻址电位传感器及其制备方法
- 专利权人:
- 浙江大学
- 发明人:
- 王平,门洪,李毅,许祝安
- 申请号：
- CN200310109483.0
- 公开号：
- CN1547003A
- 申请日:
- 2003.12.14
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2004
- 代理人:
- 林怀禹
- 摘要：
- 本发明公开了一种用于检测Fe3+的薄膜光寻址电位传感器及其制备方法。该传感器是基于光寻址电位传感器(LAPS)，通过激光脉冲沉积(PLD)技术在其表面上制备敏感薄膜。首先合成了敏感材料，作为脉冲激光沉积的靶材。其次在LAPS上通过磁控溅射技术制备了固定化的金属层，然后通过激光脉冲沉积技术和设备在此基础上进行薄膜的制备。该薄膜传感器对溶液中的Fe3+敏感，能够检测出其含量。本发明可在江河湖海、生物医学领域(如血液、体液)、工业废水、中药、蔬菜、水果、茶叶等领域中对Fe3+进行定性和定量检测。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
