您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

PROCÉDÉ DE CRÉATION D'UN INDIVIDU VÉGÉTAL SANS VIRUS
专利权人:
IWATE UNIVERSITY;NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION;NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION, IWATE UNIVERSITY;国立大学法人岩手大学
发明人:
YOSHIKAWA Nobuyuki,吉川 信幸,YAMAGISHI Noriko,山岸 紀子,吉川 信幸,山岸 紀子
申请号:
JPJP2015/083501
公开号:
WO2016/084965A1
申请日:
2015.11.27
申请国别(地区):
JP
年份:
2016
代理人:
摘要:
A method for creating a virus-free plant individual, said method comprising: step (1) for growing an rALSV-infected plant individual for 2 to 6 weeks at a temperature which is higher than the optimum temperature thereof and at which rALSV is inactivated; step (2) for, after step (1), growing the rALSV-infected plant individual at the optimum temperature thereof and thus allowing the elongation of an rALSV-absent site from the rALSV-infected plant individual; and step (3) for grafting the rALSV-absent site elongated in step (2) as a scion and growing the same.L'invention concerne un procédé de création d'un individu végétal sans virus, ledit procédé comprenant : l'étape (1) consistant à faire croître un individu végétal infecté par le rALSV pendant 2 à 6 semaines à une température qui est supérieure à la température optimale de ce dernier et à laquelle le rALSV est inactivé ; l'étape (2) consistant, après l'étape (1), à faire croître l'individu végétal infecté par le rALSV à la température optimale de ce dernier et permettre ainsi l'allongement d'un site à rALSV absent à partir de l'individu végétal infecté par le rALSV ; et l'étape (3) consistant à greffer le site à rALSV absent allongé à l'étape (2) sous la forme d'un greffon et à le faire croître.以下の工程:(1)rALSV感染植物個体を、その至適温度より高く、かつ、rALSVが不活性化する温度で、2週間から6週間育成する工程;(2)工程(1)の後、rALSV感染植物個体をその至適温度にて育成して、rALSV感染植物個体からrALSV非存在部位を伸長させる工程;および(3)工程(2)で伸長させたrALSV非存在部位を穂木として接ぎ木して育成する工程を、含む作出方法とする。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充