半導体装置の製造方法および化学機械研磨用スラリ

• 收藏
• 分享

专利权人:

株式会社東芝

发明人:

川崎 貴彦,松井 之輝,岩出 健次,側瀬 聡文

申请号：

JP20150219680

公开号：

JP2017092215(A)

申请日:

2015.11.09

申请国别(地区):

日本

年份:

2017

代理人:

摘要：

【課題】金属膜の占有率に局所的なばらつきがある被研磨膜についても良好な平坦化性能を得ることができる半導体製造方法および化学機械研磨用スラリを提供する。【解決手段】実施の一形態による半導体装置の製造方法は、（Ａ）カチオン性水溶性重合体と（Ｂ）硝酸鉄と（Ｃ）砥粒とを含有するスラリを用い、絶縁膜と前記絶縁膜内に設けられた溝または孔を埋め込む第１タングステン膜とを含む被研磨膜を化学機械研磨する工程を持つ。前記化学機械研磨工程は、前記第１タングステン膜を研磨する第１研磨工程と、第１研磨工程後に実施され、前記第１タングステン膜と前記絶縁膜をともに研磨する第２研磨工程を有し、前記第２研磨工程で使用される前記スラリ中の（Ａ）成分の含有量は３００ｐｐｍ未満であり、かつ（Ｂ）成分の含有量は１０

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/