一种铂纳米柱修饰的微电极阵列及其制备方法
- 专利权人:
- 中国科学院深圳先进技术研究院
- 发明人:
- 夏凯,吴天准,孙滨,曾齐,彭琎
- 申请号：
- CN201610460562.3
- 公开号：
- CN106108891A
- 申请日:
- 2016.06.23
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种铂纳米柱修饰的微电极阵列，所述微电极阵列的电极表面设置有铂纳米柱修饰层。该微电极阵列以铂纳米柱为表面修饰层，修饰层与微电极基底的结合力较好，不容易脱落导致电极失效，并且修饰后的微电极表面积极大地增加，其电化学阻抗明显降低，电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加，这有利于降低植入的系统功耗，改善电刺激效果，同时修饰层具有良好的生物相容性，使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种铂纳米柱修饰的微电极阵列的制备方法。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
