反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列及其制备方法
- 专利权人:
- 上海交通大学
- 发明人:
- 刘景全,康晓洋,田鸿昌,杨斌,朱红英,杨春生
- 申请号：
- CN201310190253.5
- 公开号：
- CN103301566B
- 申请日:
- 2013.05.21
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列及其制备方法，反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列的制备方法，包括利用微加工技术制备的微电极阵列、反应溅射的氧化铱，其中所述反应溅射的氧化铱溅射在微电极阵列上。本发明利用设定流量的氩气、氧气以及特定的气压来反应溅射氧化铱，确定了使Lift-off工艺顺利进行的反应溅射条件，并且获得较好的电化学性质，使微电极阵列获得更好的电生理采集与刺激效果。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
