一种基于自应力弯曲的环状卡夫微电极的制备方法
- 专利权人:
- 上海交通大学
- 发明人:
- 刘景全,康晓洋,田鸿昌,杨春生
- 申请号：
- CN201410006973.6
- 公开号：
- CN103736202A
- 申请日:
- 2014.01.07
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种基于自应力弯曲的环状卡夫微电极的制备方法，所述方法在制备过程中通过控制Parylene-C层的厚度与热处理条件，调整不同Parylene-C层的自身应力情况，来实现基于自应力的环状弯曲，形成卡夫电极。本发明操作简便，能够形成一系列不同直径的环状卡夫微电极。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
