一种微电极及其制备方法
- 专利权人:
- 发明人:
- 曾齐,吴天准,夏凯,孙滨
- 申请号：
- CN201711139417.6
- 公开号：
- CN108125677B
- 申请日:
- 2017.11.16
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2023
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种微电极，包括微电极本体和设置在所述微电极本体表面的铂纳米花修饰层，所述铂纳米花修饰层的厚度为0.5～2.5μm。所述微电极具有低阻抗、高电荷存储能力、高电荷注入能力以及良好的长期稳定性。本发明还提供了一种微电极的制备方法，包括以下步骤：提供铂盐溶液；以铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电极，待修饰的微电极为工作电极，与所述铂盐溶液形成三电极体系，并与电化学工作站相连接；在常温常压条件下，电沉积5～60min，在所述微电极表面形成铂纳米花修饰层，即得到微电极，所述铂纳米花修饰层的厚度为0.5～2.5μm。本发明提供微电极的制备方法操作简单，制得的微电极性能良好。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
