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一种枝晶铂修饰的微电极阵列及其制备方法
- 专利权人:
- 深圳先进技术研究院
- 发明人:
- 夏凯,吴天准,孙滨,曾齐
- 申请号：
- CN201710203187.9
- 公开号：
- CN108652618A
- 申请日:
- 2017.03.30
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种枝晶铂修饰的微电极阵列,所述微电极阵列的电极表面设置有枝晶铂修饰层。该微电极阵列以枝晶铂为表面修饰层,修饰层与微电极基底的结合力较好,不容易脱落导致电极失效,并且修饰后的微电极表面积极大地增加,其电化学阻抗明显降低,电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加,这有利于降低植入的系统功耗,改善电刺激效果,同时修饰层具有良好的生物相容性以及机械稳定性,使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种枝晶铂修饰的微电极阵列的制备方法。以电化学沉积的方式,将微电极阵列的表面修饰了一层枝晶铂修饰层,该方法溶液配制简单,且无其他有毒物质如铅等添加剂,条件温和、简单易行。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
