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荷電粒子線装置及びその欠陥分析方法
- 专利权人:
- 株式会社日立ハイテクノロジーズ
- 发明人:
- 小原 健二,梅原 諭,鈴木 直正
- 申请号：
- JP20140554544
- 公开号：
- JPWO2014104191(A1)
- 申请日:
- 2013.12.26
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明は、様々な形状を持つ欠陥に対し、妥当な分析位置を自動で設定することが可能な荷電粒子線装置を提供する。本発明の荷電粒子線装置は、電子ビームを出射する電子源と、該電子源から出射された前記電子ビームを収束させるコンデンサレンズと、該コンデンサレンズで収束された前記電子ビームの位置を変更する偏向手段と、該偏向手段で変更された前記電子ビームを絞って被検査対象物に照射する対物レンズと、前記被検査対象物が搭載される試料台と、前記電子ビームの照射によって前記被検査対象物の欠陥部分から放出される元素情報に基づいて欠陥を分析する欠陥分析手段とを備え、前記欠陥分析手段は、該欠陥分析手段で１つの欠陥と判定された欠陥領域の中から、欠陥の形状に基づいて分析点を決定することを特徴とする。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
