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Reaction gas production system and processing method using reaction gas
专利权人:
나노가드 테크놀로지스, 엘엘씨
发明人:
키너, 케빈 엠.,호흐왈트, 마크 에이.
申请号:
KR1020187012556
公开号:
KR1020180073589A
申请日:
2016.10.19
申请国别(地区):
KR
年份:
2018
代理人:
摘要:
A method of treating a product or a surface with a reaction gas includes the steps of: preparing a reaction gas by forming a high-voltage low-temperature plasma (HVCP) from the working gas; Moving the reaction gas at least 5 cm away from the HVCP; And then contacting the product or surface with the reaction gas. The HVCP does not contact the product or surface.반응 가스로 제품 또는 표면을 처리하는 방법은, 작동 가스로부터 고전압 저온 플라즈마(HVCP)를 형성함으로써 반응 가스를 제조하는 단계; 상기 반응 가스를 HVCP로부터 적어도 5 cm 떨어지도록 이동시키는 단계; 그 후 상기 반응 가스와 제품 또는 표면을 접촉시키는 단계;를 포함한다. 상기 HVCP는 제품 또는 표면과 접촉하지 않는다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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