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低屈折率のアモルファス透明導電膜作製用焼結体及び低屈折率のアモルファス透明導電膜
- 专利权人:
- ＪＸ金属株式会社
- 发明人:
- 奈良 淳史
- 申请号：
- JP20140535838
- 公开号：
- JPWO2014112209(A1)
- 申请日:
- 2013.11.26
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 亜鉛（Ｚｎ）、及び、ガリウム（Ｇａ）又はアルミニウム（Ａｌ）又はホウ素（Ｂ）、及び、ゲルマニウム（Ｇｅ）又はケイ素（Ｓｉ）、及び、マグネシウム（Ｍｇ）、及び、酸素（Ｏ）、及び、フッ素（Ｆ）からなり、ガリウム（Ｇａ）又はアルミニウム（Ａｌ）又はホウ素（Ｂ）の含有量がＧａ2Ｏ3又はＡｌ2Ｏ3又はＢ2Ｏ3換算でＡｍｏｌ％、ゲルマニウム（Ｇｅ）又はケイ素（Ｓｉ）の含有量がＧｅＯ2又はＳiＯ2換算でＢｍｏｌ％、マグネシウム（Ｍｇ）の含有量がＭｇＦ2換算でＣｍｏｌ％としたとき、１０≦Ａ＋Ｂ＋Ｃ≦７０であることを特徴とする焼結体。特に、バルク抵抗が低くＤＣスパッタリングが可能であり、低屈折率のアモルファス薄膜を形成することができる。【選択図】なし
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
