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氧化物半导体常温氧传感器
- 专利权人:
- 李学中
- 发明人:
- 李楠
- 申请号：
- CN201110206816.6
- 公开号：
- CN102353702A
- 申请日:
- 2011.07.22
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 王薇
- 摘要：
- 本发明涉及一种常温氧化物半导体氧传感器，由绝缘体基体，金属电极、引出电极组成，其特征在于：在绝缘体基体上有2-10个金属电极，2-10个引出电极分别与2-10个金属电极电连接，在金属电极之间区域覆涂有氧化物半导体氧气敏感涂层，其中氧化物半导体氧气敏感涂层的成分为具有氧敏特性的氧化物半导体电子材料，包括氧化镍（NiO,Ni2O3）、氧化钛（TiO2）、氧化锌（ZnO）、氧化锡（SnO2,SnO）；所述的氧化物半导体材料在器件中以亚微米或纳米粉末的形态存在。本发明涉及的常温氧传感器具有制备工艺技术简单，适合于大规模生产制备，测量精度及灵敏度较高的特点，通过采用适当的电子学测量技术可以实现更高的检验灵敏度，可以在常温下工作，操作简单，使用方便，可以大范围地推广到民用领域，为保护人民群众的健康提供有益的帮助。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
