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基于还原石墨烯‑半导体室温二氧化氮传感器制备方法
- 专利权人:
- 扬州大学
- 发明人:
- 张超,耿欣,罗一凡
- 申请号：
- CN201610957295.0
- 公开号：
- CN107064218A
- 申请日:
- 2016.10.31
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 孙鸥`朱杰
- 摘要：
- 本发明涉及基于还原石墨烯‑半导体室温二氧化氮传感器制备方法。本发明将石墨和NaNO3加入H2SO4中，加入KMnO4，到恒温水浴锅反应，加入去离子水并终止反应，再加入H2O2溶液和盐酸，得到氧化石墨烯悬浮液，无机盐粉末溶于去离子水，加入，高压釜里干燥得到相应粉末，单晶硅片Si作为绝缘基体在基体正面制备叉指型电极和接线端，在叉指型电极正上方制备还原石墨烯‑半导体复合涂层。本发明克服了过去存在的增加传感器的功耗、减小传感器的寿命以及增加检测的安全危险性等缺陷。本发明利用还原石墨烯具有巨大的比表面积、非常快的电子传输速度以及良好的吸光性，有更快的响应和恢复速度、更低的工作温度。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
