PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device capable of disposing an element and a through-wiring portion even with a high density.SOLUTION: A manufacturing method of a device 12 in which an electrode of an element 3 is electrically connected with through-wiring within a substrate 1 includes: preparing a structure in which the element 3 is disposed on a first substrate 1 with a through-hole 4 formed thereon and preparing a second substrate 7 with which a conductive seed layer is formed. On the first substrate, a wall part 6 is formed so as to form an opening that is communicated with the through-hole, the seed layer and a face of the structure at an element side are bonded via an adhesive layer 8, the adhesive layer entering the through-hole and the wall part is removed and the seed layer is exposed within the opening. The wall part and the through-hole are filled with a conductor 9 by electrolytic plating using the seed layer.COPYRIGHT: (C)2016,JPO&INPIT【課題】素子と貫通配線部分を高密度でも配置することが可能なデバイスなどを提供する。【解決手段】素子3の電極が基板1内の貫通配線と電気的に接続されているデバイス12の製造方法で、貫通孔4が形成された第一の基板1上に素子3が配置された構造体を準備し、導電性のシード層が形成された第二の基板7を準備する。そして、第一の基板に、貫通孔と繋がる開口が形成されるよう壁部6を形成し、シード層と構造体の素子側の面とを接着層8を介して接合し、貫通孔と壁部の内部に入った接着層を除去してシード層を開口の内部において露出させる。シード層を用いて、壁部と貫通孔の内部に電解めっきにより導体9が充填される。【選択図】図1
