In a semiconductor device 1, an image pickup element 10, i.e., a semiconductor element, and a plurality of wiring boards 30, 40, 50 are laminated to each other, each of said wiring boards having a plan view size that is smaller than that of the image pickup element 10. The wiring boards 30, 40, 50 have through holes H30, H40, H50, respectively, and are laminated to each other such that the wall surfaces of the through holes H30, H40, H50 are superimposed with each other, and gaps among the wiring boards 30, 40, 50 are sealed using a same curable sealing resin 70.La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur (1) pour lequel un élément de capture dimage (10), à savoir un élément semi-conducteur, et une pluralité de cartes de câblage (30, 40, 50) sont stratifiées les unes sur les autres, lesdites cartes de câblage ayant chacune une taille selon une vue en plan qui est inférieure à celle de lélément de capture dimage (10). Les cartes de câblage (30, 40, 50) comportent des trous traversants (H30, H40, H50), respectivement, et sont stratifiées les unes sur les autres de telle sorte que les surfaces de paroi des trous traversants (H30, H40, H50) soient superposées les unes sur les autres, et des espaces entre les cartes de câblage (30, 40, 50) sont scellés à laide dune même résine détanchéité durcissable (70).半導体装置1は、半導体素子である撮像素子10と、平面視寸法が前記撮像素子10よりも小さい複数の配線板30、40、50とが、積層されており、前記複数の配線板30、40、50には、それぞれ貫通孔H30、H40、H50があり、それぞれの貫通孔H30、H40、H50の壁面が重畳するように積層されており、前記複数の配線板30、40、50の間が同じ硬化性の封止樹脂70で封止されている。
