采用激光转移的在热敏衬底上的移植磁随机存取存储器(MRAM)及其制作方法
- 专利权人:
- 国际商业机器公司
- 发明人:
- 古普塔·阿鲁纳瓦
- 申请号：
- CN200480022966.X
- 公开号：
- CN101263580B
- 申请日:
- 2004.05.24
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2011
- 代理人:
- 王永刚
- 摘要：
- 一种在低温衬底上形成磁存储器件的方法(以及所得到的结构)，包括在涂敷有经受导致预定高压的快速加热的可分解的材料层的透明衬底上形成存储器件，以及将存储器件转移到低温衬底上。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
