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Plasma a surgical apparatus and method for operating such a device
专利权人:
Olympus Winter & Ibe GmbH
发明人:
Thomas Faehsing
申请号:
DE102015205729
公开号:
DE102015205729A1
申请日:
2015.03.30
申请国别(地区):
DE
年份:
2016
代理人:
摘要:
Die Erfindung betrifft eine plasmachirurgische Vorrichtung (2), umfassend einen HF-Generator (4) zum Erzeugen eines HF-Ansteuersignals, eine Gasquelle (6) zum Bereitstellen eines Plasmagases und einen Plasma-Applikator (8) mit einem Kanal (14), der an einem distalen Ende (16) des Applikators (8) ausmündet und der von dem Plasmagas durchströmbar ist, und mit einer HF-Elektrode, die mit dem HF-Generator (4) elektrisch verbunden ist, wobei die HF-Elektrode mit dem HF-Ansteuersignal beaufschlagbar ist, so dass ausgehend vom distalen Ende (16) des Applikators (8) ein Plasma (18) bereitstellbar ist. Die plasmachirurgische Vorrichtung (2) ist dadurch fortgebildet, dass eine Steuereinheit (28) und ein Durchflussregler (30) zum Regeln einer von der Gasquelle (6) in dem Kanal (14) bereitgestellten Durchflussrate an Plasmagas umfasst sind, wobei die Steuereinheit (28) dazu eingerichtet ist, eine Betriebsvariable des HF-Generators (4) zu empfangen oder abzufragen und entsprechend einem hinterlegten Funktionszusammenhang den Durchflussregler (30) so zu steuern, dass die Durchflussrate des Plasmagases mit einem erfassten Wert der Betriebsvariablen korreliert ist.The invention relates to a plasma a surgical apparatus (2), comprising an rf - generator (4) for generating a hf - drive signal, a gas source (6) for providing a plasma gas and a plasma - applicator (8) with a channel (14), the at a distal end (16) of the applicator (8) and opens out of the plasma gas can flow, and with a hf - electrode, which with the hf - generator (4) is electrically connected, the hf - electrode with the hf - control signal can be acted upon, so that, starting from the distal end (16) of the applicator (8) a plasma (18) can be made available. The plasma a surgical apparatus (2) is thereby developed, that a control unit (28) and a flow regulator (30) for controlling a of the gas source (6) in the channel (14), which are provided on the plasma gas flow rate, wherein the control unit (28) is adapted
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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