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荷電粒子線照射裝置
- 专利权人:
- LTD.;SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES
- 发明人:
- TACHIKAWA, TOSHIKI,立川敏树,立川敏樹,ASABA, TORU,浅羽彻,淺羽徹,OCHI, TOSHIAKI,越智俊昭
- 申请号:
- TW098104202
- 公开号:
- TWI430288B
- 申请日:
- 2009.02.10
- 申请国别(地区):
- TW
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要:
- 提供一種能夠簡易地對於荷電粒子線之劑量分布處的邊緣部之不均勻或是降低作抑制的荷電粒子線照射裝置。荷電粒子線照射裝置(1),係具備有:用以使荷電粒子線R作掃描之掃描電磁石(5a、5b);和對掃描電磁石(5a、5b)之動作作控制的控制裝置(6)。於荷電粒子線照射裝置(1)中,控制裝置(6),係將沿著照射線而照射荷電粒子線R時之掃描速度,以使在荷電粒子線R之劑量分布中的邊緣部被作修正的方式來作變更。亦即是,係成為以使劑量分布之邊緣部被作修正的方式而將荷電粒子線R之照射時間增長或是縮短。故而,能夠並不對荷電粒子線R之強度作控制,便對於劑量分布之邊緣部作控制,而能夠簡易地對於在劑量分布處之邊緣部的不均勻或是降低作抑制。提供一種能夠簡易地對於荷電粒子線之劑量分布處的邊緣部之不均勻或是降低作抑制的荷電粒子線照射裝置。荷電粒子線照射裝置(1),係具備有:用以使荷電粒子線R作掃描之掃描電磁石(5a、5b);和對掃描電磁石(5a、5b)之動作作控制的控制裝置(6)。於荷電粒子線照射裝置(1)中,控制裝置(6),係將沿著照射線而照射荷電粒子線R時之掃描速度,以使在荷電粒子線R之劑量分布中的邊緣部被作修正的方式來作變更。亦即是,係成為以使劑量分布之邊緣部被作修正的方式而將荷電粒子線R之照射時間增長或是縮短。故而,能夠並不對荷電粒子線R之強度作控制,便對於劑量分布之邊緣部作控制,而能夠簡易地對於在劑量分布處之邊緣部的不均勻或是降低作抑制。1...荷電粒子線照射裝置2...迴旋加速器3a...收束用電磁石3b...收束用電磁石4a...監視器4b...監視器5a...掃描電磁石5b...掃描電磁石6...控制裝置7...線束輸送系8...精細降能器13...患者14...腫瘍F...照射區域
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址:
- http://www.ckcest.cn/home/