电容式超声传感器及其制备方法
- 专利权人:
- 中国科学院深圳先进技术研究院
- 发明人:
- 俞挺,于峰崎
- 申请号：
- CN201110037201.5
- 公开号：
- CN102178545B
- 申请日:
- 2011.02.14
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种电容式超声传感器，包括掺杂硅衬底、固定在掺杂硅衬底上的第一电极层以及间隔设置在第一电极层上的第二电极层；第一电极层包括固定在掺杂硅衬底上的绝缘层、固定在绝缘层外沿的侧边电极以及固定在绝缘层中间的中间电极，侧边电极与中间电极通过绝缘层隔开；第二电极层通过绝缘层与侧边电极和中间电极隔开，绝缘层、侧边电极、中间电极以及第二电极层围成作为电容极板间隙的空腔。这种电容式微加工超声传感器的第一电极层采用包括侧边电极和中间电极的双层电极结构，相对于传统的单层电极结构，灵敏度高，发射和接收超声性能均得到提高。本发明还提供一种上述电容式超声传感器的制备方法。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
