多層回路基板、半導体装置、及びその多層回路基板の製造方法
- 专利权人:
- 富士通株式会社
- 发明人:
- 水谷 大輔,山田 哲郎,中村 直樹,阿部 健一郎,本岡 直人
- 申请号：
- JP20160508429
- 公开号：
- JPWO2015141004(A1)
- 申请日:
- 2014.03.20
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 一括積層プロセスにより製造される多層回路基板は、前記多層回路基板の最外層に配置されガラス繊維を含むコンポジット材料で形成される最外絶縁層と、前記最外絶縁層に隣接する層として配置され、ガラス繊維を含まない絶縁樹脂層に内蔵される配線と、前記配線に電気的に接続される有底ビアとを有する多層配線板と、を有する。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
