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X-RAY DETECTOR WITH OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
专利权人:
SAMSUNG ELECTRONICS CO.; LTD.;SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.;삼성전자주식회사
发明人:
KIM, SUN IL,김선일,PARK, JAE CHUL,박재철,KIM, CHANG JUNG,김창정,KIM, SANG WOOK,김상욱
申请号:
KR1020110014649
公开号:
KR1020120095151A
申请日:
2011.02.18
申请国别(地区):
KR
年份:
2012
代理人:
摘要:
PURPOSE: An X-ray detector including a diffusion preventing layer is provided to prevent the deterioration of a photo conductor by preventing a contact between a pixel electrode and the photo conductor. CONSTITUTION: A transistor and a signal storage capacitor are serially arranged on a substrate. An insulation layer covers the transistor and the capacitor on the substrate. A pixel electrode(111) is connected to a top electrode of the capacitor on the insulation layer. A first diffusion preventing layer(112) covers the pixel electrode on the insulation layer. A photoconductor(110) is formed on the first diffusion preventing layer. A common electrode is formed on the photo conductor. A signal processing unit(150) is connected to a drain electrode of the transistor.확산방지막을 구비한 엑스선 검출기가 개시된다. 개시된 확산방지막을 구비한 엑스선 검출기는, 기판 상에서 직렬로 배치된 트랜지스터 및 신호저장 커패시터; 상기 기판 상에서 상기 트랜지스터 및 상기 커패시터를 덮는 절연층; 상기 절연층 상에서 상기 커패시터의 상부전극과 연결되는 픽셀전극; 상기 절연층 상에서 상기 픽셀전극을 덮는 제1 확산방지막; 상기 제1 확산방지막 상의 포토컨덕터; 상기 포토컨덕터 상의 공통전극; 상기 트랜지스터의 드레인전극과 연결되는 신호처리부;를 구비한다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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