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シリコン含有ダイヤモンド状炭素薄膜、その製造方法、及びその用途
专利权人:
コリア・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー
发明人:
ムン,ミョン-ウン,リ,クワァン リョル,イ,ジン ウー,キム,ヘ-リ
申请号:
JP2011535501
公开号:
JP2012500905A
申请日:
2009.10.08
申请国别(地区):
JP
年份:
2012
代理人:
摘要:
As for this invention, as for the silicon content diamond condition carbon thin film, inside and on the surface of the diamond condition carbon thin film which contains silicon on the surface, carbon and the silicon atom and grants hydrophilic to the surface of that thin film the atom which exist on the surface of that thin film (A) it features that it possesses the chemical bond between the silicon content diamond condition carbon thin film, in regard to the production manner, and its application.本発明は、シリコン含有ダイヤモンド状炭素薄膜、その製造方法、及びその用途に関し、シリコン含有ダイヤモンド状炭素薄膜は、内部及び表面にシリコンを含有するダイヤモンド状炭素薄膜の表面に、その薄膜の表面に存在する炭素及びシリコン原子とその薄膜の表面に親水性を付与する原子(A)間の化学結合を有することを特徴とする。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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