The present invention provides a capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) capable of achieving both high frequency vibration of a membrane and low voltage operation. The CMUT has: a lower electrode (12) formed on a substrate (10)； a cavity (20) formed between two layers of insulation films (13, 15) disposed on the lower electrode (12)； and an upper electrode (16) formed on the insulation film (15) and disposed overlapping with the cavity (20) in a plan view, wherein the upper electrode (16) is provided with: an outer edge portion and a central portion each having a first film thickness； and a groove portion (23) positioned between the outer edge portion and the central portion, and having a second film thickness less than the first film thickness.La présente invention concerne un transducteur capacitif ultrasonore micro-usiné (cMUT) permettant d'obtenir à la fois une vibration haute fréquence d'une membrane et un fonctionnement à basse tension. Le cMUT comprend : une électrode inférieure (12) formée sur un substrat (10) ； une cavité (20) formée entre deux couches de films d'isolation (13, 15) disposées sur l'électrode inférieure (12) ； et une électrode supérieure (16) formée sur le film d'isolation (15) et disposée en chevauchement avec la cavité (20) dans une vue en plan, l'électrode supérieure (16) étant pourvue : d'une partie de bord extérieur et d'une partie centrale présentant chacune une première épaisseur de film ； et d'une partie de rainure (23) positionnée entre la partie de bord extérieur et la partie centrale et présentant une deuxième épaisseur de film inférieure à la première épaisseur de film.メンブレンの高周波振動と低電圧駆動を両立させた容量検出型超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）を実現する。ＣＭＵＴは、基板（１０）上に形成された下部電極（１２）と、下部電極（１２）上に形成された２層の絶縁膜（１３、１５）との間に形成されたキャビティ（２０）と、絶縁膜（１５）上に形成され、平面視においてキャビティ（２０）と重なるように配置された上部電極（１６）とを有し、上部電極（１６）は、第１の膜厚を有する外縁部および中央部と、外縁部と前記中央部との間に位置し、第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚を有する溝部（２３）とを備えている。
