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射束位置监视装置以及带电粒子束照射系统
专利权人:
株式会社日立制作所
发明人:
西村荒雄,秋山浩,品川亮介,藤田毅
申请号:
CN201510061778.8
公开号:
CN104857638B
申请日:
2015.02.05
申请国别(地区):
CN
年份:
2018
代理人:
摘要:
本发明提供一种射束位置监视装置以及带电粒子束照射系统,降低离子束照射的计划外停止来增加每日可治疗的人数的。通过扫描控制装置控制照射装置的扫描电磁铁,向患部的某层内的点的目标位置Pi,j照射从同步加速器射出的离子束。求出目标位置Pi,j与实际的照射位置Pai,j的偏差Dj(S6B)。使用偏差Dj来求出实际的照射位置Pai,j的系统误差Esi,j以及随机误差Eri,j(S6C)。判定系统误差Esi,j是否在系统误差Esi,j的第一容许范围内(S6D)。判定随机误差Eri,j是否在随机误差Eri,j的第二容许范围内(S6D)。当系统误差(Esi,j)以及随机误差Eri,j脱离了容许范围时,停止离子束向患部的照射。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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