一种OTFT集成传感器阵列及其制作方法
- 专利权人:
- 电子科技大学
- 发明人:
- 太惠玲,蒋亚东,严剑飞,李娴,张波
- 申请号：
- CN201110359421.X
- 公开号：
- CN102435634A
- 申请日:
- 2011.11.14
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 杨保刚`徐丰
- 摘要：
- 本发明公开了一种OTFT集成传感器阵列，包括至少集成在同一个硅基片上四个以上的OTFT传感器单元，其特征在于：①所述OTFT传感器单元采用底电极器件构型，四个OTFT传感器单元共用源极和栅极，并且源极和漏极之间的沟道设计为叉指结构；②源极和漏极为金/钛双层膜：采用金材料做电极层，钛材料作为过渡层；③源极、漏极和栅极三端电极分别通过外引线来实现OTFT阵列的测试；④所述OTFT集成传感器阵列以有机/无机纳米复合薄膜为敏感薄膜。该OTFT集成传感器阵列结构简单，选择性好，灵敏度高，在环境监测、食品安全及军事等领域均具有广泛的应用前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
