基于二氯甲硅烷的化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长的控制
- 专利权人:
- 三星电子株式会社
- 发明人:
- 林全植,田真镐,李钟昇,崔哲焕
- 申请号：
- CN01110401.5
- 公开号：
- CN1253599C
- 申请日:
- 2001.03.30
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2006
- 代理人:
- 谢丽娜`谷惠敏
- 摘要：
- 在用于减轻和/或消除基于二氯甲硅烷基的CVD多晶硅硅化物WSix膜中底层多晶硅的异常生长的工艺中，第一种技术是在基本上能够避免底层多晶硅结晶的温度进行底层多晶硅层的淀积。第二种方法是减小甲硅烷SiH4后冲洗暴露(例如持续时间和/或浓度)，以避免硅侵入到底层多晶硅层，产生异常生长。以这种方式，可以消除异常现象，例如在后来的层中出现的应力破裂。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
