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遷移金属膜のエッチング方法及び基板処理装置
- 专利权人:
- 東京エレクトロン株式会社
- 发明人:
- 美山 遼,茂山 和基,野沢 俊久
- 申请号：
- JP20150211809
- 公开号：
- JP2017084965(A)
- 申请日:
- 2015.10.28
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】遷移金属膜のエッチングにおいて、デバイスの微細化に対応し、デバイスへのダメージを生じさせることなく、エッチング速度やスループットを従来に比べ向上させる。【解決手段】基板処理装置を用いて遷移金属膜を異方的にエッチングする方法であって、前記基板処理装置は、遷移金属膜を含む被処理体の処理を行う１又は複数の処理容器を有し、前記処理容器内に酸素イオンを含む第１のガスを導入し、酸素イオンを前記遷移金属膜に照射して当該遷移金属膜の遷移金属を酸化させて金属酸化層を形成させる酸化工程と、前記処理容器内に前記金属酸化層を錯化させるための第２のガスを導入し、当該金属酸化層において金属錯体を形成させてエッチングを行う錯化エッチング工程と、を備えることを特徴とする、遷移金属膜のエッチング方法
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
