The present invention is an X-ray detector, a direct conversion semiconductor layer having a plurality of pixels for converting incident radiation into an electrical measurement signal according to the band gap energy characteristics of the semiconductor layer, the incident radiation being X-rays The invention relates to an X-ray detector having a semiconductor layer, which is X-ray radiation emitted by a source or light emitted by at least one light source. In addition, a first electrical measurement signal generated per pixel or group of pixels when light from at least one light source of a first intensity is coupled to the semiconductor layer, and at least one light source of a second intensity An evaluation unit is provided for calculating an evaluation signal for each pixel or pixel group from a second electrical measurement signal generated for each pixel or pixel group when light from the semiconductor layer is coupled to the semiconductor layer. Is configured to detect noise peaks for each pixel or pixel group in the first and second electrical measurement signals, and determine an offset and gain for each pixel or pixel group from the detected noise peaks. A detection unit is provided for determining a detection signal from an electrical measurement signal generated when the X-ray radiation is incident on the semiconductor layer, and a calibration unit is provided for calibrating the detection unit based on the evaluation signal.本発明は、Ｘ線検出器であって、半導体レイヤのバンドギャップエネルギー特性によって入射放射線を電気測定信号に変換するための複数のピクセルを有する直接変換する半導体レイヤであって、入射放射線はＸ線ソースによって発せられたＸ線放射線又は少なくとも１つの光源によって発せられた光である、半導体レイヤを有するＸ線検出器に関する。さらに、第１の強度の少なくとも１つの光源からの光が半導体レイヤに結合される際にピクセル毎又はピクセルグループ毎に生成される第１の電気測定信号と、第２の強度の少なくとも１つの光源からの光が半導体レイヤに結合される際にピクセル毎又はピクセルグループ毎に生成される第２の電気測定信号とからピクセル毎又はピクセルグループ毎に評価信号を計算する評価ユニットが提供され、評価ユニットは第１及び第２の電気測定信号においてノイズピークをピクセル毎又はピクセルグループ毎に検出し、検出されたノイズピークからピクセル毎又はピクセルグループ毎にオフセット及びゲインを決定するよう構成される。Ｘ線放射線が半導体レイヤに入射する際に生成される電気測定信号から検出信号を決定する検出ユニットが備えられ、評価信号に基づき検出ユニットを較正する較正ユニットが備えられる。
