Provided are a silicon photomultiplier detector cell and a manufacturing method thereof. The silicon photomultiplier detector cell includes a light diode region and a readout circuit region which are formed on the same substrate. The light diode region includes a first semiconductor layer which is doped with a first type impurity and is exposed on the surface of the silicon photomultiplier detector, a second semiconductor layer which is doped with a second type impurity, and a first epi layer which is arranged between the first and the second semiconductor layer to touch the first and the second semiconductor layer, respectively, and is doped with the first type impurity which has a lower concentration compared to the first semiconductor layer.실리콘 광증배관 디텍터 셀 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 실리콘 광증배관 디텍터 셀은 광 다이오드 영역과 리드아웃회로 영역이 동일한 기판에 형성되며, 광 다이오드 영역은, 실리콘 광증배관 디텍터 셀의 표면에 노출되어 있고 제1 타입의 불순물이 도핑된 제1 반도체층, 제2 타입의 불순물이 도핑된 제2 반도체층 및 제1 및 제2 반도체층 사이에 배치되어 제1 및 제2 반도체층각각과 접하며 제1 반도체층보다 적은 농도의 제1 타입의 불순물이 도핑된 제1 에피층을 포함한다.
