制作基于微针阵列皮肤干电极的方法
- 专利权人:
- 中国科学院半导体研究所
- 发明人:
- 裴为华,陈远方,归强,陈弘达
- 申请号：
- CN201210549791.4
- 公开号：
- CN102988039A
- 申请日:
- 2012.12.17
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 摘要：
- 一种制作基于微针阵列皮肤干电极的方法，该方法包括如下步骤：A、选择一硅片；B、将硅片的两面热氧化一层二氧化硅层；C、对硅片在X方向和Y方向分别形成周期性的一预定深度的垂直的划槽，形成二维方柱阵列；D、用硅的各向同性腐蚀液对划片后的硅片进行静态腐蚀，将二维方柱阵列变细变尖；E、用氢氟酸或HF缓冲液将硅片表面的二氧化硅层腐蚀干净，形成电极柱阵列；F、采用磁控溅射的方法，在电极柱阵列表面及背面溅射金属，完成制作。本发明可以批量的低成本的制作基于微针阵列的皮肤干电极阵列，用于脑电、心电、肌电等生理信号检测，满足科研和临床需求。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
