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刺入深度可控的异平面微针阵列脑电干电极
专利权人:
上海交通大学
发明人:
刘景全,王龙飞,杨春生,杨斌
申请号:
CN201110215380.7
公开号:
CN102334989B
申请日:
2011.07.29
申请国别(地区):
CN
年份:
2013
代理人:
摘要:
一种刺入深度可控的异平面微针阵列脑电干电极,包括:整体框架,微针电极,微针电极载体,微针电极安装在微针电极载体上构成异平面微针电极阵列,通过框架上的孔阵列插入框架内,并且异平面微针电极阵列可以在框架内作上下运动。框架上的小圆柱插入头发,避免头发对电极的干扰,异平面微针电极阵列可以通过控制装置控制电极在框架内做上下运动来调整合适的位置刺穿头皮达到皮肤的生发层。本发明用于脑电信号采集的脑电极结构利用现有的MEMS工艺和机械结构,能够很好的采集脑电信号,与传统的湿电极相比,不需要皮肤准备步骤,可以用于长期脑电信号的检测,其结构小巧,使用方便快速,减少外部噪声,可以完成微伏级脑电信号的高质量记录。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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