您的位置：
首页
>
农业专利
>
详情页
高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
- 专利权人:
- 信越化学工業株式会社
- 发明人:
- 畠山 潤,長谷川 幸士,提箸 正義
- 申请号：
- JP20150124100
- 公开号：
- JP2017008181(A)
- 申请日:
- 2015.06.19
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【解決手段】一般式（１）で示される繰り返し単位ａ１を含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物。（Ｒ1は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ4、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ4、又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ4であり、Ｒ4は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基、又は炭素数２〜４のアルケニル基である。Ｒ2は水素原子又はメチル基であり、Ｒ3は酸不安定基である。）【効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂とするポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とラインエッジラフネスが良好で、その上、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、本発明によれば、特に超ＬＳＩ製造用又はフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵ
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
