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高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
- 专利权人:
- 信越化学工業株式会社
- 发明人:
- 畠山 潤,長谷川 幸士,提箸 正義
- 申请号:
- JP20150124100
- 公开号:
- JP2017008181(A)
- 申请日:
- 2015.06.19
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要:
- 【解決手段】一般式(1)で示される繰り返し単位a1を含む重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物。(R1は−C(=O)−R4、−O−C(=O)−R4、又は−C(=O)−O−R4であり、R4は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基、又は炭素数2〜4のアルケニル基である。R2は水素原子又はメチル基であり、R3は酸不安定基である。)【効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂とするポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とラインエッジラフネスが良好で、その上、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、本発明によれば、特に超LSI製造用又はフォトマスクの微細パターン形成材料、EU
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址:
- http://www.ckcest.cn/home/