In the present invention, the 68Ge parent nuclides are specifically adsorbed on an inorganic carrier material, and the 68Ge parent nuclides decay continuously to 68Ga by electron capture with a half-life of 270.82 days. The present invention relates to a 68Ge / 68Ga generator for continuous generation of 68Ga daughter nuclides, which is at least one oxide of a metal selected from the group consisting of: The invention further relates to the use of at least one oxide of a metal selected from the group consisting of vanadium, niobium and tantalum as an inorganic carrier material for the production of 68Ge / 68Ga generators for pharmaceutical purposes. With the inorganic support material of the present invention, up to 8000 MBq of 68 Ge (equivalent to 80 μg germanium) can be loaded into a 68 Ge / 68 Ga generator. [Selection] Figure 7本発明は、68Ge親核種が無機担体物質に特異的に吸着され、該68Ge親核種が電子捕獲により半減期270.82日で68Gaに連続的に崩壊し、該無機担体物質がバナジウム、ニオブおよびタンタルから成る群から選択される金属の少なくとも１つの酸化物である、68Ga娘核種の連続生成のための68Ge/68Gaジェネレータに関する。本発明は、更に医薬目的用の68Ge/68Gaジェネレータの製造のための無機担体物質としてバナジウム、ニオブおよびタンタルから成る群から選択される金属の少なくとも１つの酸化物の使用に関する。本発明の無機担体物質で、8000 MBqまでの68Ge（80 μgゲルマニウムに相当）を68Ge/68Gaジェネレータに負荷できる。【選択図】図７
