炭化ケイ素成長用原料粒子、炭化ケイ素成長用原料粒子の製造方法および炭化ケイ素単結晶の製造方法
- 专利权人:
- 昭和電工株式会社;株式会社デンソー
- 发明人:
- 古谷 優貴,岡本 武志
- 申请号：
- JP20150228782
- 公开号：
- JP2017095304(A)
- 申请日:
- 2015.11.24
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】Ｓｉ／Ｃ比を調節しながら炭化ケイ素単結晶を生成をできる炭化ケイ素成長用原料粒子を得ることを目的とする。【解決手段】本発明の一態様に係る炭化ケイ素成長用原料粒子は、昇華ガスを種結晶上に再結晶化して炭化ケイ素単結晶を生成するための炭化ケイ素成長用原料粒子であって、粒子本体表面の少なくとも一部が炭素からなる被覆層で被覆されている。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
