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炭化珪素焼結体原料の製造方法、炭化珪素焼結体原料、及び炭化珪素単結晶の製造方法
- 专利权人:
- 昭和電工株式会社;株式会社デンソー
- 发明人:
- 庄内 智博,近藤 宏行
- 申请号：
- JP20150236157
- 公开号：
- JP2017100920(A)
- 申请日:
- 2015.12.02
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】成長空間に露出する表面積が大きく効率的に原料昇華ガスを放出する炭化珪素焼結体原料の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の炭化珪素焼結体原料の製造方法は、容器内に種結晶と原料を配し、該原料を昇華させて、前記種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造において用いられる原料の製造方法であって、前記容器内の下部に炭化珪素原料粉末を装填すると共に、その装填面から前記炭化珪素原料粉末内の下方に延びるように、炭化珪素原料粉末の焼結温度以上でかつ炭化珪素の昇華温度よりも低い温度で溶融、蒸発または昇華する通路形成材料を配し、炭化珪素の昇華温度よりも低い温度で加熱して、前記通路形成材料を溶融、蒸発または昇華させると共に、前記通路形成材料が抜けて形成され
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
