Three dimensional beam forming X-ray source includes an electron beam generator (EBG) to generate an electron beam. A target element is disposed a predetermined distance from the EBG and positioned to intercept the electron beam. The target element is responsive to the electron beam to generate X-ray radiation. A beam former is disposed proximate to the target element and comprised of a material which interacts with the X-ray radiation to form an X-ray beam. An EBG control system controls at least one of a beam pattern and a direction of the X-ray beam by selectively varying a location where the electron beam intersects the target element to control an interaction of the X-ray radiation with the beam-former.L'invention concerne une source de rayons X formant un faisceau tridimensionnel comprenant un générateur de faisceaux d'électrons (EBG) servant à générer un faisceau d'électrons. Un élément cible est disposé à une distance prédéfinie de l'EBG et positionné de façon à couper le faisceau d'électrons. L'élément cible réagit au faisceau d'électrons en générant un rayonnement de rayons X. Un dispositif de formation de faisceau est disposé à proximité de l'élément cible et constitué d'un matériau qui interagit avec le rayonnement de rayons X pour former un faisceau de rayons X. Un système de commande d'EBG commande un profil de faisceau et/ou une direction du faisceau de rayons X en modifiant sélectivement un emplacement où le faisceau d'électrons coupe l'élément cible pour commander une interaction du rayonnement de rayons X avec le dispositif de formation de faisceau.
