BRIAN PATRICK WILFLEY,CHRISTOPHER R. MITCHELL,CHRISTOPHER W. ELLENOR,CHWEN-YUAN KU,DONALD OLGADO,KALMAN FISHMAN,PETRE VATAHOV,TOBIAS FUNK
申请号：
BR112019020536
公开号：
BR112019020536A2
申请日:
2018.03.30
申请国别(地区):
BR
年份:
2020
代理人:
摘要：
the three-dimensional beam-forming x-ray source includes an electron beam generator (ebg) to generate an electron beam. a target element is disposed at a predetermined distance from the ebg and positioned to intercept the electron beam. the target element is responsive to the electron beam to generate x-ray radiation. a beam former is arranged close to the target element and composed of a material that interacts with x-ray radiation to form an x-ray beam. an ebg control system controls at least one of a beam pattern and an x-ray beam direction by selectively varying a location where the electron beam intersects the target element to control an interaction of x-ray radiation with beam formation.a fonte de raios x de formação de feixe tridimensional inclui um gerador de feixe de elétrons (ebg) para gerar um feixe de elétrons. um elemento alvo é disposto a uma distância predeterminada do ebg e posicionado para interceptar o feixe de elétrons. o elemento alvo é responsivo ao feixe de elétrons para gerar radiação de raios x. um formador de feixe é disposto próximo ao elemento alvo e composto de um material que interage com a radiação de raios x para formar um feixe de raios x. um sistema de controle ebg controla pelo menos um de um padrão de feixe e uma direção do feixe de raio x variando seletivamente uma localização onde o feixe de elétrons intercepta o elemento alvo para controlar uma interação da radiação de raios x com o formação de feixe.
