一种用于制备太阳电池的硅片磷铝联合变温吸杂方法
- 专利权人:
- 南开大学
- 发明人:
- 赵颖,王奉友,张晓丹,姜元建,魏长春,许盛之
- 申请号：
- CN201410169980.8
- 公开号：
- CN103928573A
- 申请日:
- 2014.04.25
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 侯力
- 摘要：
- 一种用于制备太阳电池的硅片磷铝变温吸杂方法，步骤如下：将衬底硅片依次进行去损伤层、超声清洗后，在硅片正反两面先涂覆磷源，再蒸镀铝膜；然后采用氮气气氛保护下热处理依次进行一次吸杂、二次吸杂；冷却至室温后，放入氢氟酸和硝酸的混合液中腐蚀以去除吸杂层即可。本发明的优点是：该吸杂方法在磷铝吸杂基础上引入变温工艺，通过不同温度对吸杂的各个过程实现有效控制，充分利用磷吸杂和铝吸杂各自的优势；工艺简单易于实现，无需增加其他设备；吸杂效果明显，经吸杂处理后，硅片少子寿命有明显提升，同时在满足吸杂效果的前提下减少了工艺周期。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
