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一种电子封装用硅铝合金的制备方法
专利权人:
航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院
发明人:
崔子振,谢飞,石刚,续秋玉
申请号:
CN201610402544.X
公开号:
CN106086494A
申请日:
2016.06.08
申请国别(地区):
中国
年份:
2016
代理人:
张丽娜
摘要:
本发明涉及一种电子封装用硅铝合金的制备方法,具体是指一种电子封装用高致密度、高热导率、低热膨胀系数的硅铝合金材料的制备方法,属于封装材料技术领域。该方法是以硅粉和铝粉为原料,原料粉末经过混合球磨预处理后装粉入包套,然后真空热除气,在热等静压机中压制成形,随后进行机械加工制成成品。本发明制备的硅铝合金具有以下优点:合金成分比例范围宽,Si含量为10~95wt%,Al为余量;致密度高,相对密度达到99.5%以上、热导率为100~180W/mK,热膨胀系数为5~15×10‑6/K,能够满足航空航天、微电子行业电子封装的要求。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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